AEC-Q测试

AEC-Q104

 

AEC-Q104测试主要针对车用多芯片模块可靠性测试,是AEC-Q系列家族成员中较新的汽车电子规范。

 

AEC-Q104上,为了依据MCM在汽车上实际使用环境,为复合式的环境,因此增加顺序试验,验证通过的难度变高。例如,必须先执行完High Temp Operating Life(HTOL),才能做Thermal Shock(TS),颠倒过来就不行。AEC-Q104中针对MCM,增加H系列的测项;此外,针对零件本身的可靠性测试(Component Level Reliability),也增加了Thermal Shock(TS)及外观检视离子迁移(VISM)。

 

AEC-Q104规范中,共分为A-H八大系列。其中,一大原则,在于MCM上使用的所有组件,包括电阻电容电感等被动组件、二极管离散组件、以及IC本身,在组合前若有通过AEC-Q100、AEC-Q101或AEC-Q200,MCM产品只需进行AEC-Q104H内仅7项的测试,包括4项可靠性测试:TCT(温度循环)、Drop(落下)、LowTemperature Storage Life(LTSL)、Start Up &Temperature Steps(STEP);以及3项失效类检验:X-Ray、Acoustic Microscopy(AM)、Destructive Physical(DPA);若MCM上的组件未先通过AEC-Q100、AEC-Q101与AEC-Q200,那必须从AEC-Q104的A-H八大测项共49项目中,依据产品应用,决定验证项目,验证项目会变得比较多。

 

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测试流程

 

AEC-Q测试

 

序号 测试项目 缩写 检测方法
A组 加速环境应力测试
A1 预处理 PC J-STD-020
JESD22-A113
A2 有偏温湿度或有偏高加速应力测试 THB/HAST JESD22-A101
JESD22-A110
A3 高压或无偏高加速应力测试或无偏温湿度测试 AC/UHST/TH JESD22-A102
JESD22-A118
JESD22-A101
A4 温度循环 TC JESD22-A104
A5 功率负载温度循环 PTC JESD22-A105
A6 高温储存寿命测试 HSL JESD22-A103
B组 加速寿命模拟测试
B1 高温工作寿命 HTOL JEDEC JESD22-A108
B2 早期寿命失效率 ELFR 附录2
B3 NVM擦写次数,数据保持和工作寿命 EDR AEC Q100-005
C组 封装组合完整性测试
C1 绑线剪切 WBS AEC Q100-001
AEC Q003
C2 绑线拉力 WBP MIL-STD 883 Method 2011
AEC Q003
C3 可焊性 SD JESD22 J-STD-002
C4 物理尺寸 PD JESD22-B100
JESD22-B108
C5 锡球剪切 SBS JESD22-B117
C6 引脚完整性 LI JESD22-B105
C7 X-RAY X-RAY /
C8 声学显微镜 AM /
D组 芯片晶元可靠度测试
D1 电迁移 EM JEDEC JEP001
D2 经时介质击穿 TDDB JEDEC JEP001
D3 热载流子注入效应 HCI JEDEC JEP001
D4 负偏压温度不稳定性 NBTI JEDEC JEP001
D5 应力迁移 SM JEDEC JEP001
E组 电气特性确认测试
E1 应力测试前后功能参数测试 TEST 规格书
E2 静电放电(HBM) HBM AEC-Q100-002
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
E3 静电放电(CDM) CDM AEC-Q100-011
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002
E4 闩锁效应 LU AEC-Q100-004
JESD78
E5 电分配 ED AEC-Q100-009
E6 故障等级 FG AEC-Q100-007
E7 特性描述 CHAR AEC-Q003
E8 电磁兼容 EMC SAE JI752/3 RE
E9 软误差率 SER JESD89-1
JESD89-2
JESD89-3
E10 无铅(Pb) LF AEC-Q005
F组 缺陷筛选测试
F1 过程平均测试 PAT AEC-Q001
F2 统计良率分析 SBA AEC-Q002
G组 腔体封装完整性测试
G1 机械冲击 MS JESD22-B110
G2 变频振动 VFV JESD22-B103
G3 恒加速 CA MIL-STD-883 Method2001
G4 粗细气漏测试 GFL MIL-STD-883 Method1014
G5 跌落 DROP JESD22-B110
G6 盖板扭力测试 LT MIL-STD-883 Method2024
G7 芯片剪切 DS MIL-STD-883 Method2019
G8 内部水汽含量测试 IWV MIL-STD-883 Method1018
H组 模组特殊要求
H1 板阶可靠性 BLR IPC-9701
H2 低温储存寿命测试 LTSL JESD22-A119
H3 启动和温度冲击 STEP ISO 16750-4
H4 跌落 DROP JESD22-B111
H5 破坏性物理分析 DPA MIL-STD-158
H6 X-RAY X-RAY /
H7 声学显微镜 AM /

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