邓胜良
(深圳市美信检测技术股份有限公司,深圳宝安,518108)
摘要:直插式LED漏电,通过切片分析、SEM、EMMI等测试,判断失效产生的直接原因为LED焊线工艺参数设置不当造成芯片表面钝化层损伤,形成导电路径;根本原因为LED封装工艺管控不良。
关键词:LED漏电;切片分析;EMMI;SEM
1.失效背景
客户反馈其产品上所使用的直插式LED灯珠在客户端测试过程中出现死灯和暗灯现象,经初步排查,失效灯珠存在漏电现象,具体表现为反向漏电偏大。
图1 样品外观 |
2.主要分析过程简述
在相同测试条件下(正向3V)测试正常样品和失效样品的半导体特性曲线,如图2所示,样品漏电现象得到确认;如图3所示,对失效样品进行镶样研磨,逐步去除样品的PCB,并测试灯珠的半导体特性曲线,结果未发生明显变化,该项测试证明失效与PCB板表面和内部状况(电迁移、离子残留等)无关,仅发生在灯珠部分;对失效样品进行开封,去除封装胶后,对LED芯片进行EMMI测试,测试结果显示:漏电芯片负电极绑定点附近出现比较明显的漏电发热点,SEM照片显示NG样品出现绑定点过大情况,焊点已经覆盖了芯片正负极间的绝缘沟道,采用化学试剂去除NG样品的焊点,芯片PN结与负极间的部分钝化保护层已经脱离,同时负极边缘位置出现了一定程度的损伤。
图2 I-V特性曲线
图3 切片分析 |
图4 EMMI+SEM
3.总结与结论
本案的失效现象为直插式LED漏电;失效产生的直接原因为LED焊线工艺参数设置不当造成芯片表面钝化层损伤,形成导电路径;根本原因为LED封装工艺管控不良。
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